표시기판 및 이의 제조 방법

Display substrate and method of manufactruing the same

Abstract

A display substrate and a manufacturing method thereof are provided to hide a semiconductor pattern, exposed between a source electrode and a drain electrode, by using an etch stopper pattern, thereby preventing performance deterioration of a TFT(Thin Film Transistor) of the display substrate and more reducing manufacturing processes of the display substrate. A gate line structure(20) comprises a gate electrode(10) and a gate line(15). The gate electrode is disposed in a display region of a substrate(1), and includes a first gate pattern and a second gate pattern disposed on the first gate pattern. The gate line is prolonged from a pad area disposed in a peripheral region of the display region from the gate electrode. A pixel electrode(30) is formed in the same layer as the first gate pattern on the substrate. A gate insulating layer pattern covers the gate line structure and the pixel electrode, and has a contact hole for exposing a part of the pixel electrode. A semiconductor pattern covers the gate electrode. A data line structure(60) includes a source electrode(65) electrically connected with the semiconductor pattern, and a data line(67) prolonged from the source electrode to the pad region. A drain electrode(80) is electrically connected with the semiconductor pattern, and electrically connected with the exposed pixel electrode. The drain electrode is spaced from the source electrode. An etch stopper pattern(90) is disposed in an exposed part of the semiconductor pattern exposed by the source electrode and the drain electrode.
표시기판 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 표시기판은 기판의 표시영역에 배치되며 제1 게이트 패턴 및 제1 게이트 패턴 상에 배치된 제2 게이트 패턴을 포함하는 게이트 전극, 게이트 전극으로부터 표시영역의 주변에 배치된 패드 영역으로 연장된 게이트 배선을 갖는 게이트 배선 구조물, 기판상에 제1 게이트 패턴과 동일한 레이어에 형성된 픽셀 전극, 게이트 배선 구조물 및 픽셀 전극을 덮고, 픽셀 전극의 일부를 노출하는 콘택홀을 갖는 게이트 절연막 패턴, 게이트 전극을 덮는 반도체 패턴, 반도체 패턴과 전기적으로 접속된 소오스 전극, 소오스 전극으로부터 패드 영역으로 연장된 데이터 배선을 포함하는 데이터 배선 구조물, 반도체 패턴과 전기적으로 접속되며 노출된 픽셀 전극과 전기적으로 접속되며 소오스 전극과 이격된 드레인 전극 및 소오스 전극 및 드레인 전극에 의하여 노출된 반도체 패턴의 노출부에 배치된 에치 스톱퍼 패턴을 포함한다.

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