Switching device

스위칭 소자

Abstract

크게 다른 2개의 안정적인 저항 특성을 가역적이고 반복적으로 나타내는 고도 집적화된 비휘발성 메모리에 적용 가능한 스위칭 소자를 제공한다. 2개의 전극 사이에 조성 변동을 포함하는 단일 중심 금속 원소로 이루어지는 금속 산화물 박막이 개재한 가변 저항 소자를 구비하고, 해당 양전극 사이에 제1 문턱값 이상의 전압 또는 전류와, 해당 제1 문턱값의 절대값보다도 그 절대값이 작은 제2 문턱값 이하의 전압 또는 전류와, 해당 제2 문턱값의 절대값보다도 그 절대값이 작은 제3 문턱값 이하의 전압 또는 전류를 선택적으로 인가할 수 있는 제어 회로와 접속하고, 그 절대값이 적어도 제3 문턱값 이하의 전위영역 또는 전류영역에서의 전극간의 저항 특성을 가역적으로 1000∼10000배로 변화하게 하는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자이다.
[PROBLEMS] To provide a switching device reversibly and repetitively exhibiting two greatly different stable resistive characteristics and applicable to a highly-integrated nonvolatile memory. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A switching device characterized in that the device comprises a variable resistive element interposed between two electrodes and having a metal oxide thin film composed of a single center metal element and including a composition fluctuation, a control circuit for selectively applying a voltage or current of a first threshold or more, a voltage or current of a second threshold or less the absolute value of which is smaller than that of the first threshold, or a voltage or current of a third threshold or less the absolute value of which is smaller than that of the second threshold is connected between the electrodes, and the resistive characteristics between the electrodes in a potential or current region the absolute value of which is at least equal to or less than the third threshold can be reversively varied from 1,000 to 10,000 times.

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    KR-101463782-B1November 21, 2014고려대학교 산학협력단문턱전압 스위칭 물질을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법