전도성 캐핑 층을 포함하는 구리-베이스 금속화 층을형성하는 기술

Technique for forming a copper-based metallization layer including a conductive capping layer

Abstract

금속-베이스 상호접속(metal-based interconnect) 라인들에 전도성 캐핑 층(capping layer)(106)을 제공함으로써, 일렉트로마이그레이션(electromigration)에 대한 강화된 성능이 달성될 수 있다. 또한, 특히 구리 라인들과 비아들 사이의 전이(transition) 영역에서, 구리-베이스 금속과 같은 아래쪽에 놓인 금속(105b)의 노출 없이 비아 개구(via opening)(110)가 캐핑 층(106)에까지 확실히 식각될 수 있게 하는 상응하는 제조 기술이 제공된다.
By providing a conductive capping layer (106) for metal-based interconnect lines, an enhanced performance with respect to electromigration may be achieved. Moreover, a corresponding manufacturing technique is provided in which via openings (110) may be reliably etched into the capping layer (106) without exposing the underlying metal (105b), such as copper-based material, thereby also providing enhanced electromigration performance, especially at the transitions between copper lines and vias.

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    KR-101532814-B1June 30, 2015도쿄엘렉트론가부시키가이샤루테늄 금속캡층을 형성하는 반도체 디바이스 형성 방법