Method of manufacturing transparent thin film transistor

투명 박막 트랜지스터의 제조 방법

Abstract

A method for manufacturing a transparent thin film transistor is provided to improve contact characteristic between an active layer and source and drain electrodes by employing a transparent oxide semiconductor. A gate electrode(110) and a gate dielectric(120) are sequentially formed on a substrate(100). A transparent oxide semiconductor layer is formed on the gate dielectric. The transparent oxide semiconductor layer is patterned to form an active layer(131). Source and drain electrodes(151,152) contacting to the active layer are formed on the gate dielectric. Between a process for forming the active layer and a process for forming the source and drain electrodes, plasma treatment is performed on the active layer surface contacted to the source and drain electrodes. The plasma treatment is performed by using a mixed gas of oxygen and hydrogen. The transparent oxide semiconductor is comprised of one selected from a zinc oxide(ZnO), an indium-zinc oxide(InZnO), and a zinc tin oxide(ZnSnO).
본 발명은 투명 산화물 반도체로 이루어지는 액티브층과 소오스 및 드레인 전극 사이의 콘택 특성을 개선함과 동시에 제조 비용을 절감할 수 있는 투명 TFT의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 투명 TFT의 제조 방법은, 기판 위에 게이트 전극과 게이트 절연막을 순차적으로 형성하고, 게이트 절연막 상에 투명 산화물 반도체층을 형성하고, 투명 산화물 반도체층을 패터닝하여 액티브층을 형성하고, 게이트 절연막 상에 액티브층과 콘택하는 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계들을 포함한다. 그리고, 액티브층을 형성하는 단계와 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 사이에, 소오스 및 드레인 전극과 콘택하는 부분의 액티브층 표면을 플라즈마 처리하는 단계를 더욱 포함한다.

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (7)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    CN-103117224-AMay 22, 2013京东方科技集团股份有限公司, 成都京东方光电科技有限公司Manufacturing method of thin film transistor and array substrate
    KR-101228592-B1February 01, 2013순천대학교 산학협력단투명 전도성 산화막의 표면처리 방법
    KR-101333783-B1November 29, 2013삼성디스플레이 주식회사유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
    US-8324629-B2December 04, 2012Samsung Display Co., Ltd.Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
    US-8933868-B2January 13, 2015Samsung Display Co., Ltd.Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
    US-9159749-B2October 13, 2015Samsung Display Co., Ltd.Oxide semiconductor devices, methods of manufacturing oxide semiconductor devices, display devices having oxide semiconductor devices, methods of manufacturing display devices having oxide semiconductor devices
    US-9257495-B2February 09, 2016Samsung Display Co., Ltd.Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same